主要用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。

由于本机找平机构先进,找平力小、使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片的曝光而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

工作方式                                   

本机为单面对准、单面曝光。

主要构成

主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微镜显示系统、高均匀性的多点光源、蝇眼、LED、曝光头,PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

主要功能特点

1.适用范围广

适用于Φ160mm以下(***小尺寸为Φ5mm),厚度5mm以下的各种基片   (包括非圆形基片)的对准曝光。

2.分辨率高

采用高均匀性的LED曝光头,非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置,使本机的曝光分辨率大为提高。

3.套刻精度高、速度快                                                采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式,使导轨自重和受力方向保持

一致,自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机

构和双簧片微分离机构,使本机片对版在分离接触时漂移特小,对准精度高,

对准速度快,从而提高了版的复用率和产品的成品率。

4.可靠性高

采用PLC控制器、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件,使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、检修简便。

5.特设“碎片”处理功能

解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。

主要技术指标

*曝光类型:单面

*LED曝光头、可调

*曝光面积:≥φ160mm

*曝光不均匀性:≤±3%

*曝光强度:≥20mw

*曝光分辨率:1μm

*曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光模式

*扫描范围:X:±40mm   Y:±35mm

*对准范围:X、Y粗调±3mm、细调±0.3mm Q粗调±15°、细调±3°

*精度:1μm

*分离量:0~50μm可调

*接触-分离漂移:≤1μm

*密着曝光方式:密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光

*找平机构:三点式自动找平

*显微镜系统:双视场CCD系统;连续可调(物镜0.7X~4.5X连续变倍)

*计算机图像处理系统:

*掩模版尺寸:3″×3″ 4″×4″5″×5″6″×6″7″×7″

*基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″、φ5″、φ6″

*基片厚度:≤5 mm

*紫外光束角≤3° 紫外光中心波长365nm.404nm.435nm可选

*紫外光源寿命≥2万小时(LED)

*曝光定时:0~999.9秒可调

*曝光头转位:气动

*电源:单相AC220V 50Hz功耗≤1kW

*洁净空气压力:≥0.4Mpa

*真空度:-0.07MPa~-0.09Mpa

*尺寸:长920mm×宽680mm×高1600mm

*重量:~170kg


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